تاثیر برهم کنش الکترون-فونون بر رسانش الکتریکی پل مولکولی

مطالعه رسانایی الکتریکی در سامانه های مزوسکوپیک یکی از اساسی ترین مسایل در فیزیک نانو ساختار است. در سال های اخیر، علاقه روزافزونی در مورد رسانش الکتریکی در نقطه‏های کوانتومی، سیم‏های کوانتومی و سیم‏های مولکولی وجود داشته است. رسانش الکترونیک یک موضوع نسبتا داغ است تا آنجا که هم از نظر کاربردهای فنی و هم از نظر فهم مفاهم فیزیکی بنیادی که در ارتباط با آن ها ظاهر می شود، جالب توجه و مورد علاقه ی دانشمندان است. در این مطالعه اثر برهم کنش الکترون-فونون روی رسانش الکتریکی یک پل مولکولی مورد تحقیق گرفته است. ما این سامانه را در الگوی بستگی قوی و با استفاده از فن چند کاناله و به کار بردن روش ماتریس انتقال به صورت کاملا تحلیلی حل کرده ایم. همچنین شکل هامیلتونی در تقریب همسایه ی نزدیک نوشته شده است. نتیجه های این تحقیق نشان می دهد که در جفت-شدگی ضعیف الکترون-فونون سهم رسانش کشسان در رسانش کل چشم گیر است، در حالی که در جفت-شدگی قوی الکترون-فونون سهم رسانش ناکشسان بیشتر می شود. همچنین در این پایان نامه اثر تغییر اندازه ی جمله ی پرش روی رسانش کل و همچنین اثر تغییر ثابت جفت شدگی الکترون-فونون روی رسانش مطالعه شده است.